元大期货

01、Fab厂建设创历史新高

半导体制造业的转变，离不开市场需求、晶圆厂资产状态、半导体产能及产物设计尺寸。凭证近期IC Insight、SEMI剖析机构数据显示，今年的全球半导体总销售额可能到达创纪录的6807亿美元，并预计至2030年，这一数字有望突破万亿美元关口。

受半导体壮大增进动能驱动，晶圆代工扩产充能。SEMI数据显示，2021年至2023年的Fab建设投资到达历史新高，仅2022年支出就增进14%，到达近260亿美元。28家新的量产晶圆厂将于今年（2022年）最先建设，其中包罗23家300毫米晶圆厂和5家专用于200毫米及以下的晶圆厂。

表1：全球半导体晶圆代工Foundry工厂数目。(数据泉源/SEMI）

图1数据显示，全球运营中的晶圆厂主要漫衍：美国有70家，中国有66家，欧洲和中东有61家，日本有63家，韩国27家，东南亚区域21家，中国台湾65家。由于台积电、英特尔、三星和Globalfoundries之间的军备竞赛，这个数字在未来几年还会增添。

02、汽车IC欠缺何时解？

自2020年下半年以来，半导体欠缺问题变得十分严重，至今仍未完全解决。到2022年，芯片欠缺仍然很庞大。用于生产汽车和医疗装备的芯片照样对照稀缺。最大的汽车半导体供应商之一英飞凌示意，其焦点产物的欠缺问题将在2023年才气竣事。

英飞凌新上任的首席运营官Rutger Wijburg就曾示意，为了应对工业细分市场半导体的欠缺，其已经设计将加速扩大产能，并现在只接受交货时间长的订单。就现在而言，12个月的交货时间都很正常，18个月或更长时间也不罕有。

另据台媒最新报道，用于服务器的电源治理IC的供应仍然主要。受今年晚些时刻新处置器的推出推动，部门电源治理IC供应商都在为预计的服务器需求激增做好准备。业内人士指出，服务器需求没有放缓的迹象。PMIC是除MCU之外最紧缺的芯片品类之一，有关数据显示，国际半导体厂商的交期已经高达20-24周，个体厂商交期已高达40-52周。

03、三星Intel结盟PK台积电

全球半导体企业营收排名第一的英特尔和排名第二的三星要互助了，其他半导体厂商会怎么看或怎么应对该同盟呢？据5月30日韩联社新闻称，三星设计与英特尔在下一代存储IC、逻辑IC、晶圆代工以及消费电子应用等领域举行深度互助。

其中涉及的晶圆代工互助就对照有深意。在该领域，只管三星代事情为一个完全自力的营业部门仅处于第六个年头，但就所服务的客户而言，它们并不落伍于TSMC。只管专家可能仍然以为三星的产量低于其台湾竞争对手，但这家韩国企业团体正在不停投资和改善其生产线，明确的目的是到2030年逾越TSMC。

毫无疑问，TSMC也一直在与三星电子猛烈竞争5纳米及以下产物，英特尔也介入了这场战斗。TrendForce的数据显示，TSMC以去年第四序度确立的52.1%的市场份额(基于销售额)排名第一，三星电子以18.3%的份额紧随厥后，位居第二。

04、3D NAND竞争白热化

当前，各大厂商在NAND层数堆叠上的竞争日趋白热化。美光、SK海力士、三星等头部厂商都已突破176层3D NAND手艺，进入200层以上的堆叠层数比拼。凭证TrendForce集邦咨询数据，随着110＋层闪存芯片的推出，2023年市场总产出的72.5%会被110 层3D NAND闪存占有。

1）三星正在加速200层以上NAND闪存的量产措施，韩国媒体《Business Korea》曾报道，三星将在今年底明年头推出200层以上的NAND产物，并设计在2023年上半年最先量产。

2）美光科技（Micron Technology）将于今年晚些时刻最先推出下一代3D NAND产物，这是一种232层的工艺，芯片上的密度高达1tb。Micron认真手艺和产物的执行副总裁Scott DeBoer透露了未来十年3D NAND的蹊径图，该蹊径图显示将跨越400层。

3）西部数据在近期宣布的闪存手艺蹊径图显示，其设计与互助同伴铠侠于2022年底前最先量产162层NAND产物。西数还透露，2032年之前将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存手艺。

4）SK海力士最新的3D NAND层数是176层，但其前CEO李锡熙在去年的IEEE国际可靠性物理钻研会（IRPS）上展望SK海力士产物的未来设计时曾展望，未来有可能实现600层以上的NAND产物。

05、3nm芯片即将上市

住手2022年3月，量产最先进的制造工艺是5nm。据最新报道，三星将会在近几周内启动全球首款基于3纳米工艺的大规模生产。TSMC也示意，其3纳米FinFET架构将在今年下半年进入大规模生产。在销售额方面，韩国三星代工一直落伍于全球最大的半导体芯片代工制造商台积电。笔者以为，三星是想在征服3nm工艺手艺方面跨越TSMC。

通常，工艺节点数目越少，晶体管数目越多。这一点很主要，由于晶体管数目越多，芯片就越壮大，越节能。现在，业界主流工艺手艺是5nm，用于三星Galaxy S22和苹果iPhone13之类的产物。

因此，随着晶体管尺寸不停缩小，预计三星将在未来几周成为首家推出3nm芯片的代工厂。除了转向下一个工艺节点，三星还将使用其最新的晶体管设计，称为GAA，而预计将于2022年下半年最先量产3nm的TSMC仍将使用旧的FinFET设计。与FinFET相比，GAA工艺使得芯片功耗降低近一半，同时性能提高多达35%，性能提升多达30%。