元大期货

近年来在外部商业风险连续升温的情形下，海内的国产化替换历程也最先大大提速。作为“被严重卡脖子”的半导体领域，更是成为了国产化替换的前沿战场，迅速获得了国家全方位的支持。在此靠山下，各种厂商介入新兴手艺国产化替换的热情愈发高涨。

而在诸多新手艺中，具备普遍应用场景的第三代半导体质料，稀奇是以SiC为代表的新型半导体质料，日渐成为各方角逐的焦点。

各路巨头竞逐SiC

克日，本土第三代半导体行业领军企业基本半导体宣布，公司已经完成了数亿元人民币B轮融资，由着名上市半导体科技公司闻泰科技领投，深圳市投控资源、民和资源、屹唐长厚等机构跟投，原股东力和资源追加投资。此次融资，也是元旦事后首笔来自半导体领域的融资。

作为此次领投基本半导体的主角，闻泰科技也通过这次融资，拿到了汽车功率器件当红产物SiC的入场券。而从整个海内SiC市场的情形来看，介入角逐SiC领域的巨头，远不止有闻泰科技一家。

当前海内竞逐SiC的企业，基本可以分为三类：第一类是自己做半导体的半导体企业，代表如北方华创、士兰微、斯达半导、比亚迪半导体等着名厂商；第二类是互联网科技公司，代表如华为、阿里巴巴等企业；第三类是以新能源汽车为代表的新能源厂商，好比蔚来、小鹏等汽车厂商。

从各家希望的情形来看，现在海内绝大多数SiC项目，都已经进入产业化落实阶段。好比，比亚迪半导体推出的新一代碳化硅Mosfet已经进入第3代，第4代正在研发之中；扬杰科技已经拥有了4个SiC肖特基模块；华为投资的山东天岳，也已经实现宽禁带半导体碳化硅质料产业化，手艺水平也已经到达了国际领先水平……

而从各家公司介入SiC项目的目的来剖析，则是大同小异。好比，对于蔚来、小鹏等汽车厂商来说，自己入局碳化硅半导体手艺，一方面是为了保证自己掌握焦点的手艺壁垒，形成更好的用户体验；另一方面也有出于供应链稳固的思量。而对于其他的介入企业来说，除了保障供应链稳固之外，也不乏开拓新营业、追求新增长点的营业计划，而随着各路巨头纷纷押注SiC市场，也让海内SiC市场变得愈加火爆。

SiC凭什么站上风口

半导体质料那么多，SiC凭什么能够站上风口呢？要回答这一点，还需要从SiC自己的特征来说。

SiC（碳化硅）是以1：1的比例，用硅（Si）和碳（C）天生的化合物，是一种新型的硅基质料。现在它和Si、GaN（氮化镓），并列为半导体元器件3大主流质料。在当前市场中，Si仍是市场上使用最多的质料。但就性能来看，三种质料之中碳化硅质料的物理性能，显著好于前者。

SiC在物理特征上的利益，主要体现在以下几个方面：第一是击穿场强度会更强，因此耐压更高，以是它可以做成耐高压的产物；第二是熔点和Si相比会更高一些，这样可以耐更高的温度，约莫可以耐到Si温度3倍以上；第三个利益是电子饱和速率会更快一些，以是SiC的频率可以做得更高。

另外SiC另有两个优势：一是热传导性很高，这样冷却更容易去做；再有禁带宽度更宽，这样可以使工作温度更好做。基于诸多方面的优势，使其成为新一代半导体质料中最被看好的质料之一，业界甚至有“得碳化硅者得天下”的说法，足见其影响力之大。

从应用局限来看，现在其依附多方面的优异性能，在特高压、5G、轨道交通、新能源汽车等诸多领域均获得了普遍应用。

然而，从整个SiC市场款式来看，美、日、欧等外商仍是整个市场的主导者，海内厂商在该领域的话语权还不大。凭据Yole数据显示，Cree、英飞凌、罗姆约占有了90%的SiC市场份额，Cree是SiC衬底主要供应商，罗姆、意法半导体等则拥有自己的SiC生产线等，其中Cree占有了一半以上的碳化硅晶片市场，这种垄断优势使其在产业上游的话语权异常之大。

例如，近年来由于下游硅晶片供应主要，促使许多元器件厂商，不得不与Cree签署历久供货协定，这在当前中 美商业战加剧的大靠山下，自然是于我晦气的。而芯片营业与巨头方方面面营业结构均有关联，巨头自然不会缺席，巨头通过加注SiC来补齐自身的短板，防止外部供应链风险也在情理之中。

巨头押注的更深层考量

巨头加注SiC，除了战略思量之外，还与其广漠的市场前景和政策利好分不开。

从市场层面来看，SiC市场前景广漠未来可期。据IMSResearch讲述显示，碳化硅功率器件2017年市场份额在3亿美元左右，主要集中在光伏逆变器与电源领域。而现在这个领域的市场规模，只占到功率器件市场1.5%的规模，但近几年的年复合增长率保持在30%以上，仍处在高速成历久。

另外，相比已往碳化硅功率器件，仅被应用于二极管产物来说，现在其产物结构已经扩大到了分离器、晶片IC等诸多领域，应用日趋普遍。而随着新能源汽车、5G等手艺的生长，其产物结构还在进一步厚实。

据了解，现在SiC质料就可以用于新能源车的动力控制单元（电驱系统）。现在一些主流的新能源汽车厂商好比特斯拉、比亚迪等，现在均已经在自家的产物中应用了SiC质料。好比，特斯拉的脱销款产物Model 3、比亚迪旗下的比亚迪汉、比亚迪唐EV等，都使用了SiC MOSFET（碳化硅功率场效应晶体管）。

据三菱电机（着名SiC厂商）研究发现，SiC的功率消耗较IGBT下降了87%。连系功率半导体在整车中的能量消耗占比数据可以得出，仅仅是将IGBT替换为SiC，就可提高整车续航里程10%左右。

作为一种潜力更大的新型应用质料，除了用于汽车元器件之外，其优异的充电效率，使其还被普遍地应用于充电桩设施之中。据预计，未来随着电动汽车作为主驱动力以及MOSFET器件的上量，SiC市场有望在未来8年突破20亿美元。作为全世界最大的新能源汽车市场，中国新能源市场还处于蓬勃生长的初期阶段，未来随着该市场的周全发作，作为主要原质料的SiC市场，也将迎来自己的春天。

从政策方面来看，SiC市场也存在多方面的利好。据了解，现在我国已经在“十四五”计划中，将SiC为代表的第三代半导体质料，纳入国家战略举行重点推进。另外，在《中国制造2025》中，国家对5G通讯、高效能源管理中的国产化率也提出了详细目的，目的要求到2025年，要使先进半导体质料的国产化率到达50%。这些利好的政策，对SiC市场的进一步生长壮大自然是大有助益。

新大战在即？

那么，在巨头纷纷结构SiC市场之后，是否意味着一场新的大战即将到来了呢？从现在来看，基本不会。

首先，现在海内的SiC市场才刚刚起步，产业化阶段还很低级。当前无论是山东天岳照样其他厂商的产线也才刚刚铺开，大规模量产尚未完全准备就绪，海内的SiC市场也仍主要由外洋巨头如英飞凌、恩智浦、三菱电机等机构掌控。

因此现在各种国产厂商的焦点义务，还主要是加速其SiC质料的产能扩张，为下一阶段的规模化、产业化打基础。而在市场化尚未铺开的情形下，巨头之间开启新大战概率很小。

其次，从碳化硅行业自己来说，现在其仍存在不少难点有待突破。首先，是成本高的问题仍未获得有用解决。现在各种 SiC 器件的成本仍比Si 基器件高 2.4~8倍，这对其普及应用造成了一定难度；其次，随着产能规模扩大，其对品控要求也越来越高，若何保障良品率也是摆在其眼前的一大问题。而在以上问题没有获得解决之前，产业的大规模应用仍存在诸多不确定性因素。

因此从短期之内来看，巨头发生大冲突的可能性很小，至少在其周全市场化应用、以及产能形成之前，这种大战发作的可能性仍比较低。但从久远来看，随着国产碳化硅市场周全崛起之后，这种大战仍不可避免。